Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4931DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante64 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5125
Rodo à Medida11AN9288
Segmento de fita11AN9288
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
500 Em Estoque
20,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.500 | $ 2.50 |
| Total Preço | $ 2.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.500 |
| 50+ | $ 1.620 |
| 100+ | $ 1.120 |
| 250+ | $ 1.030 |
| 500+ | $ 0.941 |
| 1000+ | $ 0.922 |
| 2500+ | $ 0.903 |
| 5000+ | $ 0.885 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.370 |
| 4000+ | $ 1.270 |
| 6000+ | $ 1.230 |
| 10000+ | $ 1.210 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4931DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante64 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5125
Rodo à Medida11AN9288
Segmento de fita11AN9288
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8.9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Alternativas para SI4931DY-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
