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SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 34 A, 12 V, 2.1 mohm, 4.5 V, 400 mV RoHS Compliant: Yes
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|---|---|
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| 50+ | $ 1.560 |
| 100+ | $ 1.390 |
| 500+ | $ 1.160 |
| 1000+ | $ 1.090 |
| 2500+ | $ 1.030 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4838BDY-T1-GE3
Código Newark97W2660
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance2700µohm
On Resistance Rds(on)0.0021ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.7W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
5.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
On Resistance Rds(on)
0.0021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos