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SI4816BDY-T1-E3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 5.8A, NSOIC-8
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4816BDY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo73W9413
Rodo à Medida61AC1935RL
Segmento de fita61AC1935
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.470 | $ 2.47 |
| Total Preço | $ 2.47 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.470 |
| 50+ | $ 1.590 |
| 100+ | $ 1.090 |
| 250+ | $ 0.993 |
| 500+ | $ 0.896 |
| 1000+ | $ 0.801 |
| 2500+ | $ 0.754 |
| 5000+ | $ 0.745 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.806 |
| 5000+ | $ 0.791 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4816BDY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo73W9413
Rodo à Medida61AC1935RL
Segmento de fita61AC1935
Channel TypeN Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel9300µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9300µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
9300µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
5.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
9300µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SI4816BDY-T1-E3
3 produtos encontrados
Produtos associados
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto