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SI4564DY-T1-GE3
MOSFET, VISHAY SI4564DY-T1-GE3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4564DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3889
Rodo à Medida64T4069RL
Segmento de fita64T4069
Seu número de peça
3,439 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.030 | $ 10.15 |
| Total Preço | $ 10.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.030 |
| 50+ | $ 1.290 |
| 100+ | $ 0.870 |
| 250+ | $ 0.788 |
| 500+ | $ 0.706 |
| 1000+ | $ 0.632 |
| 2500+ | $ 0.591 |
| 5000+ | $ 0.579 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.628 |
| 4000+ | $ 0.564 |
| 6000+ | $ 0.544 |
| 10000+ | $ 0.532 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4564DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3889
Rodo à Medida64T4069RL
Segmento de fita64T4069
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0145ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0145ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0145ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI4564DY-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto