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SI4497DY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -36A, SOIC
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.830 | $ 14.15 |
| Total Preço | $ 14.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.830 |
| 10+ | $ 2.690 |
| 25+ | $ 2.490 |
| 50+ | $ 2.250 |
| 100+ | $ 2.010 |
| 250+ | $ 1.750 |
| 500+ | $ 1.510 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.120 |
| 4000+ | $ 1.010 |
| 6000+ | $ 0.966 |
| 10000+ | $ 0.930 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4497DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3888
Rodo à Medida01AC4997RL
Segmento de fita01AC4997
Gama de produtosTrenchFET
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd7.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
7.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SI4497DY-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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