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SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 12.6A, 150DEG C, 4.8W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4435FDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC3927
Rodo à Medida75AH9203RL
Segmento de fita75AH9203
Gama de produtosTrenchFET III
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.774 | $ 3.87 |
| Total Preço | $ 3.87 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.774 |
| 10+ | $ 0.684 |
| 25+ | $ 0.606 |
| 50+ | $ 0.513 |
| 100+ | $ 0.439 |
| 250+ | $ 0.377 |
| 500+ | $ 0.328 |
| 1000+ | $ 0.278 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.267 |
| 5000+ | $ 0.255 |
| 10000+ | $ 0.229 |
| 20000+ | $ 0.209 |
| 30000+ | $ 0.197 |
| 50000+ | $ 0.183 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4435FDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo20AC3927
Rodo à Medida75AH9203RL
Segmento de fita75AH9203
Gama de produtosTrenchFET III
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12.6A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd4.8W
Power Dissipation4.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET III
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
4.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET III
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12.6A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
4.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Alternativas para SI4435FDY-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto