Imprimir página
SI4288DY-T1-GE3
MOSFET, NN CHANNEL, W/D, 40V, 9.2A, SO8
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4288DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo96AJ0115
Rodo à Medida64T4063RL
Segmento de fita64T4063
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 39 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.250 | $ 11.25 |
| Total Preço | $ 11.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.250 |
| 50+ | $ 1.510 |
| 100+ | $ 1.090 |
| 250+ | $ 0.998 |
| 500+ | $ 0.906 |
| 1000+ | $ 0.848 |
| 2500+ | $ 0.784 |
| 5000+ | $ 0.768 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.687 |
| 5000+ | $ 0.658 |
| 10000+ | $ 0.632 |
| 15000+ | $ 0.620 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4288DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo96AJ0115
Rodo à Medida64T4063RL
Segmento de fita64T4063
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0165ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0165ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
9.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI4288DY-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto