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SI4186DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 35.8A, SOIC
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4186DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark11AN9280
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.060 |
| 50+ | $ 1.390 |
| 100+ | $ 1.000 |
| 250+ | $ 0.919 |
| 500+ | $ 0.838 |
| 1000+ | $ 0.785 |
| 2500+ | $ 0.769 |
| 5000+ | $ 0.754 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.06
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4186DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark11AN9280
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35.8A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SI4186DY-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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