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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4100DY-T1-GE3
Código Newark
Rodo à Medida55R1914
Segmento de fita55R1914
Seu número de peça
Ficha técnica
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Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.11 |
| 10+ | $ 1.44 |
| 25+ | $ 1.31 |
| 50+ | $ 1.17 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4100DY-T1-GE3
Código Newark
Rodo à Medida55R1914
Segmento de fita55R1914
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
On Resistance Rds(on)0.051ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd6W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management, LED Lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
On Resistance Rds(on)
0.051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6W
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI4100DY-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos