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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.350 | $ 1.35 |
| Total Preço | $ 1.35 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.350 |
| 10+ | $ 0.845 |
| 25+ | $ 0.749 |
| 50+ | $ 0.653 |
| 100+ | $ 0.557 |
| 250+ | $ 0.494 |
| 500+ | $ 0.432 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.374 |
| 5000+ | $ 0.365 |
| 10000+ | $ 0.338 |
| 20000+ | $ 0.314 |
| 30000+ | $ 0.293 |
| 50000+ | $ 0.280 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3477DV-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86R3876
Rodo à Medida61AC1932
Segmento de fita61AC1932
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
4.2W
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI3477DV-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos