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SI3460DDV-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 7.9A, TSOP
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3460DDV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark86AK6278
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 38 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.026 |
| 5000+ | $ 0.025 |
| 10000+ | $ 0.024 |
| 20000+ | $ 0.023 |
| 30000+ | $ 0.021 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 78.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3460DDV-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark86AK6278
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7.9A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.9A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para SI3460DDV-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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