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SI2312BDS-T1-E3
MOSFET, N-CH, 20V, 3.9A, SOT-23-3
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2312BDS-T1-E3Cópia
Código Newark
Rolo completo85W0175
Rodo à Medida24AJ1911RL
Segmento de fita24AJ1911
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2312BDS-T1-E3Cópia
Código Newark
Rolo completo85W0175
Rodo à Medida24AJ1911RL
Segmento de fita24AJ1911
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation Pd750mW
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para SI2312BDS-T1-E3
2 produtos encontrados
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
750mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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