Imprimir página
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 60V, 1.6A, SOT23
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2309CDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante64 semanas
Código Newark
Rolo completo96AJ0108
Rodo à Medida55R1911
Segmento de fita55R1911
Seu número de peça
12,117 Em Estoque
120,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.896 | $ 4.48 |
| Total Preço | $ 4.48 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.896 |
| 10+ | $ 0.813 |
| 25+ | $ 0.748 |
| 50+ | $ 0.672 |
| 100+ | $ 0.607 |
| 250+ | $ 0.533 |
| 500+ | $ 0.479 |
| 1000+ | $ 0.398 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.278 |
| 6000+ | $ 0.265 |
| 12000+ | $ 0.254 |
| 18000+ | $ 0.249 |
| 30000+ | $ 0.247 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2309CDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante64 semanas
Código Newark
Rolo completo96AJ0108
Rodo à Medida55R1911
Segmento de fita55R1911
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
On Resistance Rds(on)0.285ohm
Drain Source On State Resistance0.345ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.285ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Drain Source On State Resistance
0.345ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SI2309CDS-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto