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SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 3.6A, TO-236
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2304DDS-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo96AJ0105
Rodo à Medida23T8495
Segmento de fita23T8495
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 44 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.948 | $ 4.74 |
| Total Preço | $ 4.74 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.948 |
| 10+ | $ 0.656 |
| 25+ | $ 0.576 |
| 50+ | $ 0.495 |
| 100+ | $ 0.415 |
| 250+ | $ 0.337 |
| 500+ | $ 0.258 |
| 1000+ | $ 0.190 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.130 |
| 6000+ | $ 0.124 |
| 12000+ | $ 0.117 |
| 18000+ | $ 0.111 |
| 30000+ | $ 0.103 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2304DDS-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo96AJ0105
Rodo à Medida23T8495
Segmento de fita23T8495
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.049ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd1.7W
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- 30V, 3.6A N-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Suitable for DC/DC converter application
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.049ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2304DDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto