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SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 3.6A, TO-236 ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 44 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.130 |
| 6000+ | $ 0.124 |
| 12000+ | $ 0.117 |
| 18000+ | $ 0.111 |
| 30000+ | $ 0.103 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 390.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2304DDS-T1-GE3
Código Newark96AJ0105
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2304DDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos