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SI2302HDS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, TO-236
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2302HDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM8220RL
Segmento de fita51AM8220
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.499 | $ 2.50 |
| Total Preço | $ 2.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.499 |
| 10+ | $ 0.417 |
| 25+ | $ 0.383 |
| 50+ | $ 0.261 |
| 100+ | $ 0.215 |
| 250+ | $ 0.181 |
| 500+ | $ 0.140 |
| 1000+ | $ 0.117 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2302HDS-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM8220RL
Segmento de fita51AM8220
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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