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SI1442DH-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 12V, 4A, SOT-363
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.685 | $ 3.43 |
| Total Preço | $ 3.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.685 |
| 10+ | $ 0.606 |
| 25+ | $ 0.536 |
| 50+ | $ 0.454 |
| 100+ | $ 0.389 |
| 250+ | $ 0.333 |
| 500+ | $ 0.290 |
| 1000+ | $ 0.246 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.143 |
| 5000+ | $ 0.135 |
| 10000+ | $ 0.118 |
| 20000+ | $ 0.105 |
| 30000+ | $ 0.097 |
| 50000+ | $ 0.088 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1442DH-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo99W9593
Rodo à Medida57AJ0426RL
Segmento de fita57AJ0426
Gama de produtosTrench
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation Pd2.8W
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Alternativas para SI1442DH-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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