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SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SOT-363-6
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1416EDH-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo67X6843
Rodo à Medida37AJ0968
Segmento de fita37AJ0968
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.388 | $ 1.94 |
| Total Preço | $ 1.94 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.388 |
| 10+ | $ 0.331 |
| 25+ | $ 0.299 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.223 |
| 5000+ | $ 0.213 |
| 10000+ | $ 0.191 |
| 20000+ | $ 0.175 |
| 30000+ | $ 0.164 |
| 50000+ | $ 0.153 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1416EDH-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo67X6843
Rodo à Medida37AJ0968
Segmento de fita37AJ0968
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.047ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI1416EDH-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos