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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.620 |
| 25+ | $ 0.413 |
| 50+ | $ 0.370 |
| 100+ | $ 0.327 |
| 250+ | $ 0.289 |
| 500+ | $ 0.250 |
| 1000+ | $ 0.225 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.62
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1021R-T1-GE3
Código Newark69W7170
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance4ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd250mW
Transistor Case StyleSOT-416
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
- P-channel 60V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- Low on-resistance of 4ohm
- Low threshold of - 2V (typ)
- Fast switching speed of 20ns (typ)
- Low input capacitance of 20pF (typ)
- Miniature package
- 2KV ESD protected
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
250mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-416
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
