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MXP120A080SL-GE3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 31A, TO-247AD
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteMXP120A080SL-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark11AN6872
Gama de produtosMaxSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 12.050 |
| 10+ | $ 8.870 |
| 25+ | $ 8.470 |
| 50+ | $ 8.060 |
| 100+ | $ 7.660 |
| 250+ | $ 7.510 |
| 500+ | $ 7.350 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 12.05
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteMXP120A080SL-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark11AN6872
Gama de produtosMaxSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation174W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
174W
Product Range
MaxSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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