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CRCW060337R4FKEAHP
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 2.2 V, 520 W, 150 °C, Module
![VISHAY CRCW060337R4FKEAHP IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 2.2 V, 520 W, 150 °C, Module](https://www.newark.com/productimages/standard/en_US/5180273.jpg)
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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteCRCW060337R4FKEAHPCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark95B1852
Gama de produtosF Series
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
Continuous Collector Current150A
DC Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)600V
Power Dissipation Pd520W
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench Gate]
Transistor MountingPanel
Product RangeF Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Power Dissipation Pd
520W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
600V
Power Dissipation
520W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench Gate]
Product Range
F Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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