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BPW85A
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.680 |
| 10+ | $ 0.450 |
| 25+ | $ 0.416 |
| 50+ | $ 0.383 |
| 100+ | $ 0.349 |
| 500+ | $ 0.314 |
| 1000+ | $ 0.285 |
| 2500+ | $ 0.272 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.68
Observação da linha
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Descrição geral do produto
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 2.5mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Especificações Técnicas
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
50°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para BPW85A
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto