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XPJR6604PB,LXHQ(O
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, S-TOGL
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteXPJR6604PB,LXHQ(OCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida83AK2952RL
Segmento de fita83AK2952
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.210 | $ 3.21 |
| Total Preço | $ 3.21 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.210 |
| 10+ | $ 2.830 |
| 25+ | $ 2.600 |
| 50+ | $ 2.350 |
| 100+ | $ 2.040 |
| 250+ | $ 1.620 |
| 500+ | $ 1.530 |
| 1000+ | $ 1.440 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteXPJR6604PB,LXHQ(OCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida83AK2952RL
Segmento de fita83AK2952
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance660µohm
Transistor Case StyleS-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
S-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
660µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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