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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteXPJR6604PB,LQ(OCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark12AN1227
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.430 |
| 10+ | $ 3.030 |
| 25+ | $ 2.770 |
| 50+ | $ 2.510 |
| 100+ | $ 2.180 |
| 250+ | $ 1.730 |
| 500+ | $ 1.640 |
| 1000+ | $ 1.550 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.43
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteXPJR6604PB,LQ(OCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark12AN1227
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance660µohm
Transistor Case StyleS-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
S-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
660µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
5Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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