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TW054V65C,LQ(S
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 36A, DFN
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW054V65C,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark27AM4911
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 24 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 16.100 |
| 10+ | $ 14.810 |
| 25+ | $ 13.680 |
| 50+ | $ 12.580 |
| 100+ | $ 11.470 |
| 250+ | $ 10.700 |
| 500+ | $ 10.060 |
| 1000+ | $ 9.550 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 16.10
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW054V65C,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark27AM4911
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.081ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins5Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation132W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.081ohm
No. of Pins
5Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
132W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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