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TW030Z120C,S1F(S
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 60A, TO-247
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW030Z120C,S1F(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark80AK5510
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 30.160 |
| 5+ | $ 28.610 |
| 10+ | $ 27.050 |
| 25+ | $ 25.450 |
| 60+ | $ 23.740 |
| 120+ | $ 23.230 |
| 270+ | $ 22.470 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 30.16
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW030Z120C,S1F(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark80AK5510
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation249W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
249W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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