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TRS8V65H,LQ(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTRS8V65H,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark79AK2905
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.210 |
| 10+ | $ 2.830 |
| 25+ | $ 2.600 |
| 50+ | $ 2.350 |
| 100+ | $ 2.040 |
| 250+ | $ 1.620 |
| 500+ | $ 1.530 |
| 1000+ | $ 1.440 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.21
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTRS8V65H,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark79AK2905
Product Range-
Diode ConfigurationSingle Dual Anode
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current23A
Total Capacitive Charge22nC
Diode Case StyleDFN
No. of Pins5 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
22nC
No. of Pins
5 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single Dual Anode
Average Forward Current
23A
Diode Case Style
DFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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