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TPW1R104PB,L1Q(W
MOSFET, N-CH, 40V/120A, WFDSOP ADVANCE M
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPW1R104PB,L1Q(WCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark12AN0562
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.350 |
| 50+ | $ 2.950 |
| 100+ | $ 2.660 |
| 250+ | $ 2.380 |
| 500+ | $ 2.070 |
| 1000+ | $ 1.780 |
| 2500+ | $ 1.620 |
| 5000+ | $ 1.530 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.35
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPW1R104PB,L1Q(WCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark12AN0562
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.00114ohm
Transistor Case StyleWFDSOP Advance M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
WFDSOP Advance M
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00114ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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