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TPN12008QM,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPN12008QM,L1Q(M
Código Newark72AK4635
Gama de produtosU-MOSX-H Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.140 | $ 0.278 |
| 10+ | $ 0.993 | $ 0.278 |
| 25+ | $ 0.908 | $ 0.278 |
| 50+ | $ 0.836 | $ 0.278 |
| 100+ | $ 0.722 | $ 0.278 |
| 250+ | $ 0.653 | $ 0.278 |
| 500+ | $ 0.585 | $ 0.278 |
| 1000+ | $ 0.566 | $ 0.278 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.28
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPN12008QM,L1Q(M
Código Newark72AK4635
Gama de produtosU-MOSX-H Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance9600µohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation86W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
86W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
9600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto