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TPH2R306NH1,LQ(M
MOSFET, N-CH, 60V, 136A, SOP
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH2R306NH1,LQ(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6547
Segmento de fita09AK8984
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 1 | $ 1.010 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 1.01 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.240 |
| 10+ | $ 1.970 |
| 25+ | $ 1.780 |
| 50+ | $ 1.590 |
| 100+ | $ 1.380 |
| 250+ | $ 1.180 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 1.010 |
| 10000+ | $ 0.958 |
| 20000+ | $ 0.863 |
| 30000+ | $ 0.828 |
| 50000+ | $ 0.799 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH2R306NH1,LQ(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6547
Segmento de fita09AK8984
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id136A
Drain Source On State Resistance2300µohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
136A
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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