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TPH2900ENH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Surface Mount
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| 1+ | $ 2.650 | $ 0.796 |
| 10+ | $ 2.330 | $ 0.796 |
| 25+ | $ 2.100 | $ 0.796 |
| 50+ | $ 1.870 | $ 0.796 |
| 100+ | $ 1.640 | $ 0.796 |
| 250+ | $ 1.400 | $ 0.796 |
| 500+ | $ 1.280 | $ 0.796 |
| 1000+ | $ 1.210 | $ 0.796 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH2900ENH,L1Q(M
Código Newark09AK8987
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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