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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.790 |
| 10+ | $ 1.550 |
| 25+ | $ 1.390 |
| 50+ | $ 1.260 |
| 100+ | $ 1.060 |
| 250+ | $ 0.934 |
| 500+ | $ 0.813 |
| 1000+ | $ 0.779 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH1110FNH,L1Q(M
Código Newark09AK8982
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.095ohm
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd57W
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.095ohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
