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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK6R9P08QM,RQ(S2
Código Newark72AK4557
Gama de produtosU-MOSX-H Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.680 |
| 10+ | $ 1.470 |
| 25+ | $ 1.340 |
| 50+ | $ 1.240 |
| 100+ | $ 1.070 |
| 250+ | $ 0.965 |
| 500+ | $ 0.864 |
| 1000+ | $ 0.836 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.68
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK6R9P08QM,RQ(S2
Código Newark72AK4557
Gama de produtosU-MOSX-H Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id83A
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
83A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
