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SSM6P39TU,LF(T
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 1.5A, SOT-363F
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6P39TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK7979RL
Segmento de fita97AK7979
Gama de produtosU-MOSIII Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.454 | $ 2.27 |
| Total Preço | $ 2.27 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.454 |
| 15+ | $ 0.348 |
| 25+ | $ 0.290 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6P39TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK7979RL
Segmento de fita97AK7979
Gama de produtosU-MOSIII Series
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.213ohm
Transistor Case StyleSOT-363F
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSIII Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.213ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
U-MOSIII Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363F
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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