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SSM6N44FU,LF(T
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 0.1A, SOT-363
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6N44FU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK7976RL
Segmento de fita97AK7976
Gama de produtospi-MOSVI Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.291 | $ 1.45 |
| Total Preço | $ 1.45 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.291 |
| 15+ | $ 0.223 |
| 25+ | $ 0.152 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6N44FU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK7976RL
Segmento de fita97AK7976
Gama de produtospi-MOSVI Series
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel100mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Rangepi-MOSVI Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
pi-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
100mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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