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SSM6N357R,LF(T
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.65A, SOT-26F
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6N357R,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM3063RL
Segmento de fita03AM3063
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.550 | $ 2.75 |
| Total Preço | $ 2.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.550 |
| 50+ | $ 0.423 |
| 100+ | $ 0.352 |
| 250+ | $ 0.295 |
| 500+ | $ 0.248 |
| 1000+ | $ 0.211 |
| 2500+ | $ 0.172 |
| 5000+ | $ 0.146 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6N357R,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM3063RL
Segmento de fita03AM3063
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel650mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.8ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-26F
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
650mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.8ohm
Transistor Case Style
SOT-26F
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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