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SSM6N15AFE,LM(T
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 0.1A, SOT-563
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6N15AFE,LM(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK7974RL
Segmento de fita97AK7974
Gama de produtosU-MOSIII Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.293 | $ 1.46 |
| Total Preço | $ 1.46 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.293 |
| 15+ | $ 0.225 |
| 25+ | $ 0.154 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM6N15AFE,LM(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK7974RL
Segmento de fita97AK7974
Gama de produtosU-MOSIII Series
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel100mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel3.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSIII Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
U-MOSIII Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
100mA
Drain Source On State Resistance N Channel
3.6ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto