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SSM3K361R,LXHF(T
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K361R,LXHF(T
Código Newark
Rodo à Medida03AM3040
Segmento de fita03AM3040
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.699 | $ 0.70 |
| Total Preço | $ 0.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.699 |
| 10+ | $ 0.572 |
| 25+ | $ 0.505 |
| 50+ | $ 0.449 |
| 100+ | $ 0.385 |
| 250+ | $ 0.338 |
| 500+ | $ 0.268 |
| 1000+ | $ 0.258 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K361R,LXHF(T
Código Newark
Rodo à Medida03AM3040
Segmento de fita03AM3040
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto