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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J327R,LF(T
Código Newark
Rodo à Medida09AK7958
Segmento de fita09AK7958
Seu número de peça
2,765 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.036 | $ 0.04 |
| Total Preço | $ 0.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.375 | $ 0.036 |
| 10+ | $ 0.287 | $ 0.036 |
| 25+ | $ 0.197 | $ 0.036 |
| 50+ | $ 0.163 | $ 0.036 |
| 100+ | $ 0.136 | $ 0.036 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J327R,LF(T
Código Newark
Rodo à Medida09AK7958
Segmento de fita09AK7958
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
On Resistance Rds(on)0.0785ohm
Drain Source On State Resistance0.093ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1W
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0785ohm
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source On State Resistance
0.093ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para SSM3J327R,LF(T
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
