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MG250YD2YMS3(DAE)
SIC MOSFET, DUAL N-CH, 2.2KV/250A/MODULE
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteMG250YD2YMS3(DAE)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante34 semanas
Código Newark11AN6075
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 34 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2,337.300 |
| 5+ | $ 2,290.550 |
| 10+ | $ 2,243.810 |
| 25+ | $ 2,197.060 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2,337.30
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteMG250YD2YMS3(DAE)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante34 semanas
Código Newark11AN6075
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source Voltage Vds2.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation2kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
250A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
2.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
2kW
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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