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GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.020 |
| 10+ | $ 3.570 |
| 25+ | $ 3.210 |
| 50+ | $ 3.050 |
| 100+ | $ 2.730 |
| 250+ | $ 2.400 |
| 500+ | $ 2.340 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteGT30J65MRB,S1E(S
Código Newark68AK5257
Ficha técnica
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.4V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.4V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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