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2SK209-BL(TE85L,F)
JFET Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pin, 125 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SK209-BL(TE85L,F)
Código Newark
Rodo à Medida10AK1277
Segmento de fita10AK1277
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.899 | $ 0.90 |
| Total Preço | $ 0.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.899 |
| 10+ | $ 0.558 |
| 25+ | $ 0.491 |
| 50+ | $ 0.424 |
| 100+ | $ 0.357 |
| 250+ | $ 0.315 |
| 500+ | $ 0.271 |
| 1000+ | $ 0.243 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SK209-BL(TE85L,F)
Código Newark
Rodo à Medida10AK1277
Segmento de fita10AK1277
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr50V
Gate Source Breakdown Voltage Max50V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min1.2mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max14mA
Gate Source Cutoff Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleTO-236
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max125°C
Transistor TypeMOSFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
50V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
1.2mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
MOSFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Gate Source Breakdown Voltage Max
50V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
14mA
Transistor Case Style
TO-236
Operating Temperature Max
125°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Alternativas para 2SK209-BL(TE85L,F)
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos