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CSD23202W10T
MOSFET, P CH, -12V, -2.2A, DSBGA-4
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
Nº da peça do fabricanteCSD23202W10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AH3849RL
Segmento de fita29AH3849
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.100 | $ 10.50 |
| Total Preço | $ 10.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.100 |
| 10+ | $ 1.490 |
| 15+ | $ 1.460 |
| 25+ | $ 1.430 |
| 50+ | $ 1.400 |
| 125+ | $ 1.370 |
| 250+ | $ 1.340 |
| 500+ | $ 1.320 |
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Informação do produto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
Nº da peça do fabricanteCSD23202W10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AH3849RL
Segmento de fita29AH3849
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor Case StyleDSBGA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Case Style
DSBGA
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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