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CSD16321Q5
MOSFET, N CH, 25V, 100A, 8SON, FULL REEL
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
Nº da peça do fabricanteCSD16321Q5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AH2081
Segmento de fita28AH2081
Seu número de peça
2,469 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.460 | $ 2.46 |
| Total Preço | $ 2.46 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.460 |
| 10+ | $ 1.590 |
| 25+ | $ 1.420 |
| 50+ | $ 1.250 |
| 100+ | $ 1.080 |
| 250+ | $ 0.972 |
| 500+ | $ 0.863 |
| 1000+ | $ 0.821 |
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Informação do produto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
Nº da peça do fabricanteCSD16321Q5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AH2081
Segmento de fita28AH2081
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance2400µohm
On Resistance Rds(on)0.0019ohm
Transistor Case StyleSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation3.1W
Power Dissipation Pd3.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Case Style
SON
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.1W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation Pd
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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