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TQM2N7002DCU6 RFG
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 260MA, SOT-363
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM2N7002DCU6 RFGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark12AN0575
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10+ | $ 0.247 |
| 50+ | $ 0.202 |
| 100+ | $ 0.157 |
| 250+ | $ 0.138 |
| 500+ | $ 0.118 |
| 1000+ | $ 0.106 |
| 2500+ | $ 0.104 |
| 5000+ | $ 0.102 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 10
$ 2.47
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM2N7002DCU6 RFGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark12AN0575
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel260mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel376mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
260mA
Drain Source On State Resistance N Channel
3ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
376mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos