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TQM110NB04CR RLG
MOSFET, N-CH, 40V, 54A, PDFN56 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM110NB04CR RLG
Código Newark59AJ2287
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.610 |
| 10+ | $ 1.060 |
| 25+ | $ 0.962 |
| 50+ | $ 0.864 |
| 100+ | $ 0.765 |
| 250+ | $ 0.702 |
| 500+ | $ 0.639 |
| 1000+ | $ 0.587 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.61
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Informação do produto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM110NB04CR RLG
Código Newark59AJ2287
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source On State Resistance7200µohm
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Transistor Case StylePDFN56U
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation68W
Power Dissipation Pd68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
54A
On Resistance Rds(on)
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos