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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTS2DNF30L
Código Newark33R1302
Seu número de peça
Ficha técnica
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTS2DNF30L
Código Newark33R1302
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id3A
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.09ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
3A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.09ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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