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STH65N050DM9-7AG
MOSFET, N-CH, 650V, 51A, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH65N050DM9-7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM8860RL
Segmento de fita26AM8860
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 11.190 | $ 11.19 |
| Total Preço | $ 11.19 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.190 |
| 50+ | $ 6.940 |
| 100+ | $ 6.710 |
| 250+ | $ 6.560 |
| 500+ | $ 6.430 |
| 1000+ | $ 6.300 |
| 2500+ | $ 6.170 |
| 5000+ | $ 6.040 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH65N050DM9-7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM8860RL
Segmento de fita26AM8860
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleH2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation266W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51A
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
266W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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