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STGW60H65DFB
IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTGW60H65DFB
Código Newark98Y2476
Gama de produtosHB
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.630 |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
$ 4.63
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTGW60H65DFB
Código Newark98Y2476
Gama de produtosHB
Ficha técnica
Continuous Collector Current80A
DC Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.6V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
80A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.6V
Power Dissipation
375W
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
DC Collector Current
80A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Power Dissipation Pd
375W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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