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STF12N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF12N65M2
Código Newark26AH0162
Gama de produtosMDmesh M2
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.620 |
| 10+ | $ 1.510 |
| 100+ | $ 1.300 |
| 500+ | $ 1.120 |
| 1000+ | $ 1.030 |
| 2500+ | $ 1.010 |
| 5000+ | $ 0.986 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.62
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF12N65M2
Código Newark26AH0162
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.42ohm
On Resistance Rds(on)0.42ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.42ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
25W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.42ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para STF12N65M2
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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